88 : 日出づる処の名無し : 2007/11/13(火) 07:25:04 ID:WRxbMLjH
>>81
>>84
ハフニウム酸化物（HfO2）はシリコン酸化物（SiO2)に代わるゲート酸化膜材料です。
ゲート酸化膜のため膜厚の制御が重要となります。
インテルの45nmプロセスのHfO2の膜厚は2.3ナノメートル程度と思われます。（リンク）
このような薄膜の形成はALD（Atomic Layer Deposition）法と呼ばれる
原子もしくは分子層を一層毎に形成する方法で成膜されます。
一般のＣＶＤは気体を反応させて成膜し成膜時間で膜厚を制御しますが、
ＡＬＤはガスの分子を表面に吸着させ、反応させて成膜します。
１回で１分子の膜厚ができます。この繰り返しで膜厚を制御します。

ttp://sst.pennnet.com...ensics.cfm


【政治経済】平成床屋談義　町の噂その39 * c
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