257 : 日出づる処の名無し : 2007/11/14(水) 03:19:58 ID:3KfR/XES
>>252
チャネルとなる基板は従来どおりのシリコンを使います。
高速動作かつMOSのリーク電流を少なく（低消費電力化）するためには、チャネル長を短くして
ゲート直下のチャネルを確実にON/OFFさせる必要があるが、SiO2だと多分ゲート膜厚が薄すぎて耐圧が取れない。
酸化ハフニウムは強誘電体なので膜厚（耐圧）が確保でき、ゲート材料として好適なんでしょう。

今のフラッシュメモリのゲートも強誘電体だと思うけど、誘電分極して電荷が蓄積しやすい（だから電源切ってもデータが残るんだが）
酸化ハフニウムは、多分この誘電分極が小さくて、高速スイッチングが可能なのでしょう。


【政治経済】平成床屋談義　町の噂その39 * c
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